作者中包括 LI Shiqin2 的文章

1 杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型 韦素芬1，陈红霞1，李诗勤2，黄长斌1，刘璟1 2021年第5期 [472－480][摘要](1765)[pdf 16549KB](1105) DOI: